Yenilikçi teknoloji sektöre öncülük ediyor
Mitsubishi Electric, 60 yıldır sürekli ve yenilikçi araştırma ve geliştirme konularında sektördeki lider konumunu korumayı başarmıştır.
Güç bileşenlerinin çekirdeği olarak, IGBT yongalarının önemi açıktır. En yeni yarı iletken teknolojisinin geliştirilmesinde, Mitsubishi Electric'in IGBT çip teknolojisi ilerliyor. Üçüncü kuşak IGBT düz tip bir yapıdır, dördüncü kuşak IGBT bir hendek yapısıdır, beşinci kuşak CSTBTTM'dir ve altıncı kuşak ultra-incedir. CSTBTTM, yedinci nesil IGBT yapımı daha rafine ve ultra ince CSTBTTM'dir.
IGBT yongasının performans endeksinden (FOM) altıncı nesil, birinci nesil ile karşılaştırıldığında 16 kat arttı ve yedinci nesil, birinci nesil ile karşılaştırıldığında 26 kat arttı. Paketleme teknolojisi açısından, küçük kapasiteli tüketici DIPIPMTM ürünlerinde, Mitsubishi Electric, bir enjeksiyon kalıplama paketleme yöntemini benimsemiştir. Orta kapasiteli endüstriyel ürünlerde ve elektrikli taşıtlara özgü ürünlerde, kutu tipi bir paket kabul edilmiştir. Yüksek kapasiteli ürünlerde, özellikle yüksek hızlı raylarda kullanılanlarda, daha sonra bir kutu ambalajında paketlenen yüksek performanslı silikon karbid alüminyum alt tabakalar kullanılır.
Aynı zamanda seri üretim ve tedarikte Mitsubishi Electric, bir sonraki talep patlama noktası için de çaba sarf ediyor. 2022 civarında, Mitsubishi Electric, 12 inçlik güç bileşenleri üretim hattının yatırımını dikkate alacaktır. Gourab Majumdar’ın görüşüne göre, IGBT çip pazarı 2020-2022’de büyük ölçüde büyüyecek.
SiC, yeni nesil güç yarı iletkenlerinin ana teknoloji yönüdür. Geleneksel Si-IGBT modülleriyle karşılaştırıldığında, SiC güç modüllerinin temel avantajı, anahtarlama kayıplarının büyük ölçüde azaltılmasıdır. Özel invertör uygulamaları için bu avantaj invertör boyutunu azaltabilir, invertör verimliliğini artırabilir ve anahtarlama frekansını artırabilir. Şu anda, SiC güç cihazlarına dayalı invertör cihazlarının uygulama alanları genişlemektedir. Bununla birlikte, maliyet faktörleri nedeniyle, SiC elektrikli cihazların piyasaya girişi çok düşük. Teknolojinin gelişmesiyle birlikte, silisyum karbürün maliyeti hızla düşecek ve gelecek güç yarı iletken pazarındaki ana ürünler olacak.
“Silisyum karbür güç modülü, yüksek sıcaklık dayanımı, düşük güç tüketimi ve yüksek güvenilirliği nedeniyle daha fazla uygulamayı genişletebilir. Gourab Majumdar, silisyum karbür, gelecekteki yeni pazarları keşfetmek için en iyi seçimdir ”dedi.
Mitsubishi Electric, 2013'ten beri ilk nesil silisyum karbür güç modüllerini tanıttı. Aslında, 1994'ün başlarında, Mitsubishi Electric, SiC teknolojisini geliştirmeye başladı; SiC güç cihazları 2015 yılından beri birçok yeni uygulama alanına girmiştir. Aynı yıl, Mitsubishi Electric, Japonya'daki Shinkansen'e kurulum için lokomotif traksiyon sistemi ile donatılmış ilk tam SiC güç modülünü geliştirdi. Mitsubishi Electric'in SiC güç modülü ürün serisi, 15A ila 1200A arasındaki nominal akımları ve 600V ila 3300V arasındaki nominal voltajları kapsar. Örnekler şimdi mevcuttur.
Silisyum karbür talebindeki hızlı artış nedeniyle, Mitsubishi Electric, yeni teknolojiyle talaş boyutunu azaltmak için 2017 yılında 6 inçlik bir gofret üretim hattına yatırım yaptı. Şu anda, üretim hattı planlandığı gibi ilerliyor ve 2019'da seri üretim bekleniyor.
Güç elektroniği endüstrisinin güç cihazları için gereksinimleri daha yüksek verimlilik ve boyut güç yoğunluğunun azaltılmasına daha fazla yansır, bu nedenle yeni SiCMOSFET güç modülleri gittikçe daha fazla uygulama kazanacaktır. Düşük güç, yüksek verimlilik, küçük boyut ve hafiflik için güç cihazı pazarının gereksinimlerini karşılamak için, Mitsubishi Electric yüksek teknolojili ürünlerin araştırılması ve geliştirilmesi konusunda kararlıdır. Kısa devre dayanımı ve dayanıklılık arasındaki ilişkiyi daha da artıracak ve yeni SiC MOSFET modülünü 2020 yılına kadar ticarileştirmeyi planlayan yeni nesil hendek açma SiC MOSFET teknolojisi geliştirilmiştir.
